九齐芯片
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NY8A052E是以EPROM作为记忆体的 8 位元微控制器，专为多IO产品的应用而设计，例如遥控器、风扇/灯光控制或是游乐器周边等等。采用CMOS制程并同时提供客户低成本、高性能等优势。NY8A052E核心建立在RISC精简指令集架构可以很容易地做编辑和控制，共有 55 条指令。除了少数指令需要 2 个时序，大多数指令都是 1 个时序即能完成，可以让使用者轻松地以程式控制完成不同的应用。因此非常适合各种中低记忆容量但又复杂的应用。
在I/O的资源方面，NY8A052E有 14 根弹性的双向I/O脚，每个I/O脚都有单独的暂存器控制为输入或输出脚。而且每一个I/O脚位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉电阻或开漏极(Open-Drain) 输出。此外针对红外线摇控的产品方面，NY8A052E内建了可选择频率的红外载波发射口。
NY8A052E有两组计时器，可用系统频率当作一般的计时的应用或者从外部讯号触发来计数。另外NY8A052E提供 4组 10 位元解析度的PWM输出或者蜂鸣器输出，可用来驱动马达、LED、或蜂鸣器等等。
NY8A052E採用双时鐘机制，高速振盪或者低速振盪都可以分别选择内部RC振盪或外部Crystal输入。在双时鐘机制下，NY8A052E可选择多种工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standby mode) 与睡眠模式(Halt mode)可节省电力消耗延长电池寿命。并且微控制器在使用内部RC高速振盪时，低速振盪可以同时使用外部精準的Crystal计时。可以维持高速处理同时又能精準计算真实时间。
在省电的模式下如待机模式(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)中，有多种事件可以触发中断唤醒NY8A052E进入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 来处理突发事件。
宽广的工作电压：
2.0V ~ 5.5V @系统频率≦8MHz。
2.2V ~ 5.5V @系统频率>8MHz。
宽广的工作温度：-40°C ~ 85°C。
1.5Kx14 bits EPROM。
96 bytes SRAM。
内建準确的低电压侦测电路(LVD)。14 阶 ( 2.2V ~ 4.15V)
内建準确的电压比较器(Voltage Comparator)。
14 根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚(GPIO)、PA[5:0]、PB[7:0]。
PA[5:0]及PB[3:0]可选择输入时使用内建下拉电阻。
PB[7:0]可选择上拉电阻或开漏极输出(Open-Drain)。
8 层程式堆栈(Stack)。
存取资料有直接或间接定址模式。
一组 8 位元上数计时器(Timer0)包含可程式化的频率预除线路。
一组 10 位元下数计时器(Timer1)可选重复载入或连续下数计时。
4 个 10 位元的脉衝宽度调变输出(PWM1~PWM4),PWM1/2/3/4 共用Timer1.
一个蜂鸣器输出(BZ1)。
38/57KHz红外线载波频率可供选择，同时载波之极性也可以根据数据作选择。
红外线载波发射口。
内建上电復位电路(POR)。
内建低压復位功能(LVR)。
内建看门狗计时(WDT)，可由程式韧体控制开关。
双时鐘机制，系统可以随时切换高速振盪或者低速振盪。
高速振盪: E_HXT (超过 6MHz外部高速石英振盪)
E_XT (455K~6MHz外部石英振盪)
I_HRC (1~20MHz内部高速RC振盪)
低速振盪: E_LXT (32KHz外部低速石英振盪)
I_LRC (内部 32KHz低速RC振盪)
四种工作模式可随系统需求调整电流消耗：正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standby mode) 与 睡眠模式(Halt mode)。
六种硬体中断：
Timer0 溢位中断。
Timer1 借位中断。
WDT 中断。
PB 输入状态改变中断。
外部中断输入。
低电压侦测中断。
NY8A052E在待机模式(Standby mode)下的六种唤醒中断：
Timer0 溢位中断。
Timer1 借位中断。
WDT 中断。
PB 输入状态改变中断。
外部中断输入。
低电压侦测中断。
NY8A052E在睡眠模式(Halt mode)下的叁种唤醒中断：
WDT 中断。
PB 输入状态改变中断。
外部中断输入。
NY8A052E提供三种封装形式： SOP16, SOP14 和 SOP8
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