晶体管是谁发明的

        晶体管的发明可以追溯到1929年，当时工程师利莲·费尔德已经获得了晶体管的专利。然而，由于当时的技术水平，制造该设备的材料不能达到足够的纯度，这使得晶体管暂时无法制造。直到二战时期，许多实验室在硅和锗材料的制造和理论研究方面也取得了许多成就，这些成就为晶体管的发明奠定了基础。

        在1945年，美国贝尔实验室成立了半导体研究小组，小组成员有肖克来、布拉顿和巴丁等人。他们三人都长期从事半导体的研究，拥有非常丰富的经验。通过一系列的实验以及观察，他们利用两个靠得很近(相距0.05毫米)的触须接点，来代替金箔接点，制造了“点接触型晶体管”。1947年12月，这个世界上最早的实用半导体器件终于问世了，在首次试验时，它能把音频信号放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。在为这种器件命名时，布拉顿想到它的电阻变换特性，即它是靠一种从“低电阻输入”到“高电阻输出”的转移电流来工作的，于是取名为trans-resistor(转换电阻)，后来缩写为transistor，中文译名就是晶体管。

        这就是第一代晶体管的问世，但是由于点接触型晶体管制造工艺比较复杂，技术不成熟，导致产品良品率低下，还有很多缺点，比如噪音大、功率难以控制、适用范围窄等缺点。为了解决这些问题，肖克利等人又提出了用一种“整流结”来代替金属半导体接点的大胆设想，所以第一只“PN型晶体管”问世了，在1956年，肖克利、巴顿、布拉顿三人凭借发明出晶体管同时斩获诺贝尔物理学奖。

        拓展阅读：晶体管的分类

        双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET，单极性)。晶体管有三个极(端子);双极性晶体管的三个极(端子)，分别是由N型、P型半导体组成的发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极(端子)，分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。

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